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高光功率密度相关论文
基于离子注入制备的InGaN横向Micro-LED阵列
采用离子注入工艺在InGaN/GaN量子阱蓝光LED结构的p-GaN层形成高阻态隔离区域,实现了最小4μm超小尺寸高光效Micro-LED阵列的制备,......
期刊
蓝光Micro-LED
离子注入隔离
氮化镓
横向结构
高光功率密度
blue micro-LED
ion implantation isolatio
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